江南体育资讯指出，长江存储面对美国出口禁令及被列入实体清单的双重挑战，展现出了强大的自主创新能力，成功引入国产半导体设备以部分替代原有美系设备，实现了供应链的自立自强。

　　长江存储自主研发的Xtacking架构技术江南app体育网页版入口，引领了3D NAND闪存领域的新突破，其堆叠层数已可达到惊人的232层，这一成就即便在全球顶尖制造商如美光、三星及SK海力士面前，也彰显出显著的竞争优势江南app体育网页版入口。

　　值得一提的是，长江存储已携手国内多家半导体设备领军企业，包括中微半导体设备公司的蚀刻设备、北方华创的沉积与蚀刻设备，以及拓荆科技的沉积设备，共同完成了3D NAND闪存芯片的成功制造，标志着国产半导体设备在高端存储芯片制造领域迈出了坚实的一步。

　　尽管目前长江存储仍需依赖如ASML和泛林集团等国际大厂提供的部分关键设备，但国产设备在生产线上的占比正逐步增加，体现了中国半导体产业链整体实力的提升。

　　针对外界关于使用国产设备后NAND芯片堆叠层数减少及产量较低的关注，长江存储方面回应称，这一调整是基于当前技术路线与设备适配性的优化考虑，并非设备产量所限。公司正致力于持续优化产品性能，随着制造工艺、生产流程的不断精进及经验的积累，未来将逐步提升堆叠层数，以满足市场需求。这一表态展现了长江存储对未来发展的坚定信心与持续创新的能力。

　　浮栅晶体管的结构解析 /

　　面对国际环境的变化，中国半导体产业展现出强大的韧性与决心。自2022年美国实施对华先进半导体

　　技术的固态硬盘产品已然问世，并已批量上市，成为全球业内首家成功跨越此历史性阶段的

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　　来到290层，400层+不远了 /

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　　个工序会用到干法蚀刻，即：台阶蚀刻，channel蚀刻以及接触孔蚀刻。

　　如何进行台阶刻蚀呢？ /

　　种类和优势 /

　　技术（NVM Non-VolatileMemory），属于Memory（

　　呢？ /

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